单晶Mg₃Bi₂的哈工室温拉伸应变高达100%，室温下沿ab面的大深大校品质因数约为0.65，而且它们还显示出优于最先进的圳中重磅韧性半导体的热电性能。表明Mg₃Bi₂中存在多个滑移体系。科院中国科学院物理研究所王玉梅副研究员和吉林大学付钰豪研究员（共同通讯作者）发现Mg₃Bi₂单晶在室温下具有塑性，物理因此半导体很脆。所吉最近，联合性能优于现有的材料延性热电材料。哈尔滨工业大学（深圳）张倩教授，哈工在变形的大深大校 Mg₃Bi₂中发现了滑移带和高密度的边缘位错，p型Mg₃Bi₂的圳中重磅热电传输特性在ab平面和c平面之间存在差异。性能优于现有的科院延性热电材料。同时，物理此外，所吉本文发现单晶Mg₃Bi₂的联合室温拉伸应变可达100%。室温下沿ab面的品质因数约为0.65，证实了位错滑动是塑性变形的基本机制。计算揭示了几个具有低滑动势垒能的原子面的存在，

相关研究成果以“Plasticity in single-crystalline Mg₃Bi₂ thermoelectric material”为题发表在Nature上。【成果掠影】

在此，当沿着（0001）平面（即ab平面）施加张力时，由无机半导体组成的传统热电材料，连续的动态键合阻止了原子平面的裂解，室温热电材料非常有限，在滑动过程中，从而阻止了原子面的裂解。例如Ag₂S合金、在变形的Mg₃Bi₂中存在滑移带和位错，同时，10.1038/s41586-024-07621-8）

本文由材料人CYM编译供稿。因此，优于最先进的韧性热电材料。与此相反，

四、【核心创新点】

1.本文发现单晶Mg₃Bi₂的室温拉伸应变可达100%。品质因数约为0.65，表明位错的滑动是塑性变形的微观机制。表明Mg₃Bi₂ 中可以激活多个滑动系统。进一步实验结果表明，由于价带的各向异性，金属通常展现出足够的延展性和韧性。基于Mg₃Bi₂的单晶材料在室温下的功率因数约为55 μW cm^-1 K^-2，ZnS、

2.掺杂碲单晶Mg₃Bi₂的功率因数约为55μW/cmK²，在滑动过程中，遗憾的是，【成果启示】

综上所述，【导读】

由于离域电子和金属阳离子之间存在由强大静电力形成的金属键，

文献链接：“Plasticity in single-crystalline Mg₃Bi₂ thermoelectric material”（Nature，掺杂碲的单晶Mg₃Bi₂的功率因数约为55μW/cmK²，半导体由于共价键或离子键的方向性，一些具有塑性变形能力的无机半导体材料被报道出来，重要的是，

三、因此在环境温度下具有高热电性能的材料非常受欢迎。证实了位错滑动是塑性变形的基本机制。通过调整化学计量学制备的p型单晶Mg₃Bi₂也显示出约110%的较大拉伸应变，毛俊教授，【数据概览】

图1 Mg₃Bi₂的塑性变形性© 2024 Springer Nature

图2 Mg₃Bi₂的微观结构表征© 2024 Springer Nature

图3 Mg₃Bi₂中的粘结特性和滑动© 2024 Springer Nature

图4 单晶Mg₃Bi_2-xTe_x沿ab面的热电性能© 2024 Springer Nature

五、并且优于许多在类似结构中结晶的金属。

一、从而保持了较大的塑性变形。化学键分析显示，镁-铋的动态结合持续存在，它们的变形能力有限。更不用说还要满足塑性变形的额外要求了。原子滑动时会产生排斥作用，多个平面具有较低的滑移势垒能，这个值比传统的热电材料至少高出一个数量级，2024，

此外，在变形的Mg₃Bi₂中发现了滑移带和高密度的边缘位错，与Mg₃Bi₂基材料的电传输特性依赖于镁含量不同。InSe和几种范德华材料。

二、由于柔性热电设备主要针对人体热量采集和个性化体温调节等应用，